Model1で搭載したDVASのアイコンでもある完全差動アンプ構成の電圧増幅段を採用しました。通常、バランスアンプを構成する場合、ホット、コールドで完全に独立したアンプを搭載することが多く、シングル構成に比してアンプの数が増えることによる音質劣化を指摘されることもあります。完全差動アンプでは一つの差動入力から二つの出力を得ることができるため、少なくとも初段のデバイスはシングルアンプと同等規模で構成することが可能となります。Model2では高速、ローノイズ、低歪、さらに強力な出力段を有する完全差動アンプを搭載し、後段の電流増幅段をしっかりとドライブします。
またアンプ回路直近に無帰還定電圧回路を装備し、電源のバイパスコンデンサには高性能なPPSコンデンサを採用しています。また、ほとんどの抵抗はModel1同様、0.1%級の薄膜金属皮膜抵抗を採用し精密な増幅動作を実現しています。

Model2の電流増幅段はダーリントン接続したPPエミッタフォロワで構成しています。オーバーオールの負帰還を排除した設計のため、アンプの出力インピーダンスは電流増幅段の電流増幅率が支配的となります。Model2はhfeが低下しがちな小信号領域でも高いhfeを有するトランジスタをダーリントン接続し、全信号領域で低出力インピーダンスを実現しています。
また、このトランジスタはマッチドペア構成のデュアルトランジスタとなっており、一方の素子をバイアス電圧生成用のダイオードとして使用することで、熱的に安定した温度補償を実現しています。
この回路により0.1Ωという低いエミッタ抵抗でも安定したバイアス電流を得ることができます。また、エミッタ抵抗の品位も音質を大きく左右します。Model2ではOhmit社の無誘導巻き線抵抗を採用し万全を期しています。

制御回路専用トランス×１(10VA)、電圧増幅段トロイダルトランス（50VA）×２、電流増幅段トロイダルトランス（80VA）×２　合計５個のマルチ電源トランス方式を採用。
電圧、電流増幅段用整流回路は、巻き線ごとにブリッジ配置したSiCショットキーバリアダイオードと10,000uF（電圧増幅段は2,000uF）の高信頼性コンデンサを配した強力な構成です。整流ダイオードと整流コンデンサの間には高周波フィルターを設け、トランス経由で混入する高周波ノイズにも配慮しています。
電流増幅段用レギュレータは定電流素子とLEDによる基準電圧源にダーリントントランジスタで構成される左右、正負ごとに独立した４系統の無帰還形レギュレータを搭載。これらの回路は左右で独立したアンプ基板に搭載しており、電流増幅回路の直近に配置することで安定に電力を供給します。

Model2のアンプ回路はDCアンプ構成を実現するため、不慮の事故から接続されたヘッドホンやアンプの出力回路を守る厳重な保護回路を搭載しています。
出力DC電圧、出力電流を常時監視し、想定以上の過負荷やDC電圧が発生した場合、電源回路を遮断し、さらに出力デバイスを切り離す二重の保護がかかります。
また、出力回路とヘッドホンを切り離すスイッチには通常使われる機械式リレーではなく、超低ON抵抗のMOS-FETスイッチを採用しており、経時劣化による接点抵抗の上昇を排除し、音質の劣化を防いでいます。

CNCルータで削り出し加工された、７ピースのパーツを強固に組んだ　高剛性シャーシを採用。
Model1同様、音質上の理由から増幅段用トランスと制御回路（トランス含む）を厚さ10mmの天板に固定し、左右のアルミブロックを介してインシュレータで支える天吊り構造を採用しました。また、アンプ基板と整流回路は左右のアルミブロックから削り出したサイドブロックに固定。電力増幅段用の定電圧回路用出力トランジスタは放熱のため直接サイドブロックに固定しています。
全体を支えるインシュレータは設置面との接触面をR加工したステンレス削り出し製とし、設置面に優しく、接触面積を抑えた機器の設置が可能です。

信号系の機内配線にはArgent Phonoで採用したテフロン被膜純銀単線を搭載。ケーブルによるロスを抑え純度の高い信号伝送を実現します。

テフロン絶縁＆アルミダイキャスト製高品位XLR出力端子を採用し、美しい外観と確実な接続を実現しています。

各回路ブロックのGNDは純銅から削り出し、金メッキ処理を施したバスバーにて集中化することで、安定な基準電位を得ています。

回路を実装する各プリント基板は銅箔厚70u、板厚1.6mmのガラスエポキシ製とし、各パーツをしっかりと固定します。